Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8132_F085
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8132
FDB8132_F085 Hakkında
FDB8132_F085, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 80A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. 1.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Maksimum 341W güç tüketme kapasitesine sahiptir. Vgs(th) değeri 4V @ 250µA'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350 nC @ 13 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok