Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8132
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8132
FDB8132 Hakkında
FDB8132, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 80A sürekli dren akımı ile gücü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı kasa ile tasarlanmıştır. 10V gate sürüş voltajında 1.6mOhm on-resistance değerine sahip olup, düşük ısıl direnç sayesinde yüksek güç disipasyonu (341W) gerektirir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil işlem gösterir. Motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 350nC (@13V) ile hızlı switching karakteristiği sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş uygulamalar için uygun olan endüstriyel seviye bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350 nC @ 13 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok