Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8030L
FDB8030L Hakkında
FDB8030L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 80A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 3.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 187W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniğinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok