Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB8030L
80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB8030L
FDB8030L Hakkında
FDB8030L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80A sürekli drenaj akımı ve 30V Drain-Source gerilim ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.5mOhm (10V, 80A'da) düşük On-Resistance değeri ile verimli güç dönüşümü sağlar. Surface Mount TO-263AB paketinde sunulan bileşen, anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 187W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok