Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB7045L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB7045L

FDB7045L Hakkında

FDB7045L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel Power MOSFET olup yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V drain-source gerilim desteği ile 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 4.5mΩ maksimum kanal direnci (RDS-on) ile düşük güç kaybı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen TO-263-3 (D²Pak) paketindeki transistör, 58nC gate charge ve 4357pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Surface mount montaj tipi ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4357 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 107W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok