Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB7030BLS
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB7030BLS
FDB7030BLS Hakkında
FDB7030BLS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük voltaj düşüşü sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 4.5V ile 10V drive voltajlarında çalışabilir. -65°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1760 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok