Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB6690S
MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB6690S
FDB6690S Hakkında
FDB6690S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263AB (D²Pak) paket tipinde sunulan bu bileşen, 15.5mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 48W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1238 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok