Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB6670AS

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB6670AS

FDB6670AS Hakkında

FDB6670AS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 62A sürekli drenaj akımı (Id) ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve DC-DC converterlerde kullanılır. 8.5mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun özelliklere sahiptir. Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 31A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok