Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB6670AS
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB6670AS
FDB6670AS Hakkında
FDB6670AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 62A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 8.5mOhm düşük on-state direnci (10V gate geriliminde 31A'de) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Maksimum 150°C'ye kadar çalışabilir ve 62.5W güç yayma kapasitesine sahiptir. Motor kontrol devreleri, DC-DC konverterler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolet durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 31A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok