Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB6670AL

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB6670AL

FDB6670AL Hakkında

FDB6670AL, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate geriliminde 6.5mOhm maksimum on-state direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 33nC gate charge ve 2440pF input kapasitansı hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun karakteristik gösterir. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 68W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2440 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok