Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB6670AL
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB6670AL
FDB6670AL Hakkında
FDB6670AL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET'tir. 30V drain-source voltaj ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 6.5mΩ (10V, 40A) on-state direnci ile verimli enerji transfer sağlar. -65°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunması nedeniyle otomotiv, endüstriyel kontrol, DC-DC konvertörler ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 33nC gate charge ve 2440pF input kapasitesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2440 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok