Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB6030L
MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB6030L
FDB6030L Hakkında
FDB6030L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajına ve 48A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan FDB6030L, 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak yer bulur. İşletme sıcaklık aralığı -65°C ile 175°C arasındadır ve maksimum 52W güç dağılımına dayanıklıdır. ±20V gate-source voltajında çalışabilen bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok