Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB6030BL
MOSFET N-CH 30V 40A R-6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB6030B
FDB6030BL Hakkında
FDB6030BL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 40A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) SMD pakette sunulan bu bileşen, 60W maksimum güç dağılımına sahiptir. 10V kapı voltajında 18mOhm (Rds On) on-state direnci ile verimli güç iletimi sağlar. Endüstriyel kontrol devrelerinde, PWM sürücü uygulamalarında ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılmıştır. -65°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok