Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB6021P
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB6021P
FDB6021P Hakkında
FDB6021P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 28A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp dissipasyonu sağlar. TO-263AB (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 28nC gate charge ve 1890pF input kapasitanslı yapısı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok