Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB6021P
MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB6021P
FDB6021P Hakkında
FDB6021P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -65°C ile 175°C arasında çalışabilir. 4.5V gate geriliminde 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 37W maksimum güç tüketim kapasitesi ve 28nC gate yükü özellikleri ile güç elektronik uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol, inverter ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Üretim statüsü itibariyle eski üretim parçasıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok