Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB5800_F085

MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB5800

FDB5800_F085 Hakkında

FDB5800_F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 80A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli şekilde kullanılabilir. Not: Bu ürün obsolete (üretilmeyen) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6625 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok