Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB5800
FDB5800 Hakkında
FDB5800, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim ve 80A maksimum kontinü dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 6mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunarak, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, switch-mode güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 135nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitanısı (6625pF) hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6625 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 242W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok