Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB5690

MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB5690

FDB5690 Hakkında

FDB5690, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 32A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 58W maksimum güç saçılımına kapaklıdır. Dikkat: Bu ürün obsolete (üretim durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1120 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok