Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB5690
MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB5690
FDB5690 Hakkında
FDB5690, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 32A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 27mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılan bir transistördür. -65°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 58W maksimum güç dağıtabilir. 33nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok