Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB5680
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB5680
FDB5680 Hakkında
FDB5680, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 65W maksimum güç dağıtabilecek şekilde tasarlanan FDB5680, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde, anahtarlamalı güç kaynağı devrelerinde ve yükleme sistemlerinde uygulanır. Gate charge değeri 46nC olan transistör, hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok