Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB5645
FDB5645 Hakkında
FDB5645, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygundur. 9.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -65°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 125W güç saçabilir. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4468 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok