Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB52N20
FDB52N20TM Hakkında
FDB52N20TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltajına kadar dayanabilen bu bileşen, 52A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 49mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, AC/DC güç kaynakları ve endüstriyel inverter devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 357W güç dissipasyonuna kadir olan bileşen, 10V drive voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok