Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB42AN15A0-F085
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB42AN15A0
FDB42AN15A0-F085 Hakkında
FDB42AN15A0-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 150V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 42mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Tüm versiyonlar Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok