Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB4030L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB4030L

FDB4030L Hakkında

FDB4030L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltajında 20A sürekli drenaj akımı sağlayabilen yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 55mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -65°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma yapabilir. Motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 18nC gate charge ve 365pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok