Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB3860
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB3860
FDB3860 Hakkında
FDB3860, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 6.4A sürekli drain akımı (Ta) / 30A (Tc) kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 37mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 3.1W (Ta) / 71W (Tc) güç dağılım kapasitesine sahiptir. 30nC gate yükü ve 1740pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Not: Bu ürün artık üretilmeyen (obsolete) bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1740 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok