Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB3682

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB3682

FDB3682 Hakkında

FDB3682, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sağlanan bu bileşen, 25°C'de 6A veya uygun soğutma koşullarında 32A'ye kadar sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 36mOhm maksimum gate-source direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 95W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle termal yönetimin önemli olduğu uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok