Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB3672-F085
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB3672
FDB3672-F085 Hakkında
FDB3672-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 44A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 28mOhm on-dirençli yapısıyla güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 120W güç harcaması destekler. Motor kontrol, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta), 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok