Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB3672-F085

MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB3672

FDB3672-F085 Hakkında

FDB3672-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj ve 44A sürekli akım kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 28mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. TO-263 D²Pak paketlemesi, kompakt ve yüksek güç dağılımı gerektiren devrelerde montaj kolaylığı sunar. DC/DC konvertörler, anahtarlama kaynakları, motor sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 120W güç dağıtabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 44A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok