Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB3652-F085

MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB3652

FDB3652-F085 Hakkında

FDB3652-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile 9A (Ta) / 61A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 16mΩ maksimum on-direnci (Rds On @ 10V) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-263AB (D²Pak) paketlemesi ile kompakt PCB tasarımına uygun yüzey montajlı bileşendir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok