Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB3652-F085

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 10

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB3652

FDB3652-F085 Hakkında

FDB3652-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel PowerTrench MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ile çalışan bu transistör, 61A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 16mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 53nC ve 2880pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışabilen bileşen, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 150W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok