Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB3652
FDB3652 Hakkında
FDB3652, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 61A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, düşük 16mΩ On-Resistance değeri sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V kapı geriliminde optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 61A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok