Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB3632
FDB3632_SB82115 Hakkında
FDB3632_SB82115, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A maksimum akım kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük 9mOhm RDS(on) değeri ile ısıl verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 310W güç saçabilir. 6V-10V gate sürüş gerilimi ile lojik seviye kontrolüne uyumludur. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok