Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB3632-F085

MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB3632

FDB3632-F085 Hakkında

FDB3632-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 9mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 310W güç dağılımına dayanıklıdır. Düşük gate charge (110nC) sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok