Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB3632

MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB3632

FDB3632 Hakkında

FDB3632, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 12A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 80A drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 9mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan FDB3632, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile PCB alanı tasarrufu sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 310W güç yayılım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok