Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB33N25TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB33N25TM
FDB33N25TM Hakkında
FDB33N25TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 250V drain-source voltajında 33A sürekli drain akımı sağlayabilen bu transistör, anahtarlama ve güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, 94mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. 235W güç hızlandırma kapasitesi, endüstriyel kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 235W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok