Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB33N25TM

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB33N25TM

FDB33N25TM Hakkında

FDB33N25TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drenaj akımı özelliğine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. D²Pak (TO-263) SMD paketinde sunulan transistör, 94mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, SMPS (switched-mode power supply), motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 48nC gate charge ve düşük input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok