Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB2710
FDB2710 Hakkında
FDB2710, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. 42.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, 260W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 260W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok