Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB2670
FDB2670 Hakkında
FDB2670, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 19A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 130mOhm On-Resistance (Rds On) değerine sahiptir. -65°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 93W güç ürün kapasitesine sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Kısa kapı yükü (38nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok