Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB2670
FDB2670 Hakkında
FDB2670, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 10V gate drive geriliminde 130mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -65°C ile +175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılan bu transistör, 93W maksimum güç dağıtımı kabiliyetine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok