Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB2572
FDB2572 Hakkında
FDB2572, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj desteği ve 4A sürekli dren akımı (Ta), 29A maksimum dren akımı (Tc) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve yüksek frekanslı uygulamalarda yaygın olarak yer alır. 54mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 135W güç tüketimine toleranslıdır. ±20V gate-source voltajı desteği ile geniş kontrol uygulamalarına uyarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta), 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok