Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB2570
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB2570
FDB2570 Hakkında
FDB2570, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 80mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ile 175°C) ve 93W güç dağıtma kapasitesi sayesinde motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 56nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar. Ürün durumu itibariyle obsolete olup, stok tükenmek üzeredir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1911 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok