Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB2532
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB2532
FDB2532 Hakkında
FDB2532, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 310W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, sürücü devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok