Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB2532-F085

MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB2532

FDB2532-F085 Hakkında

FDB2532-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilim ve 79A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşenidir. D²Pak (TO-263AB) paketinde sunulan bu transistör, 16mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 310W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama ve düşük açık durumda dirençle karakterize edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok