Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB24AN06LA0
FDB24AN06LA0 Hakkında
FDB24AN06LA0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 19mOhm (10V, 40A) Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 75W güç dağılımına sahiptir. 21nC gate charge ve 1850pF input capacitance karakteristikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok