Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB1D7N10CL7

MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7 Hakkında

FDB1D7N10CL7, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 268A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 1.65mOhm (15V, 100A'de) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybı azaltılır. Surface mount D²Pak (TO-263) paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 250W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 268A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 100A, 15V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 700µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok