Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB15N50_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB15N50
FDB15N50_NL Hakkında
FDB15N50_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj dayanımı ve 15A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 380mΩ on-state direnci (10V gate voltajında), D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. Gate threshold voltajı 4V'tur. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 300W güç dağıtabilir. Switching regülatörleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 41nC gate charge ve 1850pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok