Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB14N30TM
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB14N30
FDB14N30TM Hakkında
FDB14N30TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve AC/DC konvertörlerde yer alır. 10V gate sürüş geriliminde 290mΩ RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 140W güç dağıtabilir. Düşük gate charge (25nC) sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok