Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB14AN06LA0
FDB14AN06LA0 Hakkında
FDB14AN06LA0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10A sürekli akım (Ta) ve 67A akım (Tc) değerleriyle çalışabilir. 11.6mΩ düşük drain-source direnci (10V gate geriliminde) sayesinde verimli güç aktarımı sağlar. TO-263AB (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve şarj kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Ürün artık kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok