Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB14AN06LA0
FDB14AN06LA0-F085 Hakkında
FDB14AN06LA0-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 67A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263AB (D²Pak) paketine sahip yüzey montajı bileşendir. 11.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 125W güç disipasyonuna dayanıklıdır. Motor sürücüleri, güç kaynakları, şarj kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Cihazın gate charge değeri 31nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uyguntur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok