Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB14AN06LA0
FDB14AN06LA0 Hakkında
FDB14AN06LA0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 10A (Ta) / 67A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar. 11.6mOhm (@ 67A, 10V) düşük RDS(on) değeri ve 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygundur. Bileşen şu anda kullanım dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok